10W-1064-01 硅片透射系列檢測(cè)模組
PL（光致發(fā)光）檢測(cè)是一種基于光學(xué)激發(fā)和高靈敏相機(jī)成像的非接觸式檢測(cè)方法，廣泛應(yīng)用于硅片、太陽(yáng)能電池片以及其他半導(dǎo)體材料的質(zhì)量檢測(cè)。
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10W功率可選范圍
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1064±5nm中心波長(zhǎng)
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10nm半波全寬
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產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
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產(chǎn)品應(yīng)用
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產(chǎn)品參數(shù)
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相關(guān)產(chǎn)品
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
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非接觸式檢測(cè)
PL檢測(cè)采用非接觸式的方法，對(duì)硅片不造成任何物理?yè)p傷或污染，確保樣品在檢測(cè)過(guò)程中保持完好
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高靈敏度
PL檢測(cè)能夠發(fā)現(xiàn)微米級(jí)別甚至納米級(jí)別的缺陷和雜質(zhì)，其靈敏度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)方法
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快速高效
PL檢測(cè)可以在短時(shí)間內(nèi)處理大量樣品，大幅提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量控制的效率
產(chǎn)品應(yīng)用
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檢測(cè)模組相機(jī)捕捉示意圖 -
光伏檢測(cè)模組 -
光伏檢測(cè)
產(chǎn)品參數(shù)
系列型號(hào)
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450nm—100W
vs
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型號(hào)（W）
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中心波長(zhǎng)（nm）
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中心波長(zhǎng)偏差
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平均功率（W）
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典型工作距離（mm）
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出光口尺寸（mm）
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可檢硅片尺寸（mm）
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配電需求（V）
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IO接口
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平均功耗（W）
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出光控制方式
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功率調(diào)節(jié)方式
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工作溫濕度（℃）
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控制器三維尺寸 (L×W×H)（mm）
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光學(xué)模組三維尺寸 (L×W×H)（mm）
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重量（kg）
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適用工藝
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450nm—100W
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型號(hào)（W）15
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中心波長(zhǎng)（nm）1064
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中心波長(zhǎng)偏差±5
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平均功率（W）15
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典型工作距離（mm）10~25
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出光口尺寸（mm）280×10
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可檢硅片尺寸（mm）≤230
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配電需求（V）220
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IO接口白 0~24V+/黑 0~0.5V-
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平均功耗（W）150
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出光控制方式GUI/編碼開(kāi)關(guān) IO接口
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功率調(diào)節(jié)方式GUI/編碼開(kāi)關(guān)
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工作溫濕度（℃）20~30；＜80%
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控制器三維尺寸 (L×W×H)（mm）218×122×111
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光學(xué)模組三維尺寸 (L×W×H)（mm）316×33×138
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重量（kg）≈4
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適用工藝硅原片及制絨后的硅片
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相關(guān)產(chǎn)品
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COS封裝半導(dǎo)體激光器加入對(duì)比vs- 808
- 880
- 915
- 976
COS封裝技術(shù)有高效、低熱阻、可靠性強(qiáng)，可應(yīng)用于工業(yè)加工、醫(yī)療設(shè)備和通信等領(lǐng)域 -
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- 915-45
- 915-150
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- 976-280W
- 976-450W
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- 808-16W
- 808-25W
- 808-50W
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- 880-30W
- 880-65W
- 880-120W
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- 1060-70W
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1470nm系列半導(dǎo)體激光器加入對(duì)比vs- 1470-10W
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- 1550nm-25W-R-200μm
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10W-1064-01 硅片透射系列檢測(cè)模組加入對(duì)比vs- 450nm—100W
廣泛應(yīng)用于硅片、太陽(yáng)能電池片以及其他半導(dǎo)體材料的質(zhì)量檢測(cè) -
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- JPT-50W
- JPT-200W
廣泛應(yīng)用于硅片、太陽(yáng)能電池片以及其他半導(dǎo)體材料的質(zhì)量檢測(cè) -
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實(shí)現(xiàn)固定角度發(fā)散的方形光斑激光輸出，應(yīng)用于光伏檢測(cè)
