COS封裝半導體激光器
COS（Chip On Submount）封裝是一種高效先進的半導體激光器封裝技術，將激光芯片直接安裝在基座上。COS封裝技術具有高效、低熱阻、可靠性強等優勢，使其在工業加工、醫療設備和通信等領域得到廣泛應用。
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10W~45W功率可選范圍
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808~1064nm波長范圍
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6nm半波全寬
資料下載
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產品優勢
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產品參數
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相關產品
產品優勢
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低熱阻
COS封裝通過優化熱管理設計，顯著降低了熱阻，提升了激光芯片的散熱效率
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穩定性
COS封裝提供了卓越的機械穩定性，能夠承受振動和沖擊，使得設備在嚴苛環境下依然穩定運行
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功率和波長多樣性
COS的功率和波長多樣性，可供選擇可以定制
產品參數
系列型號
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808
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880
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915
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976
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輸出功率（W）
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中心波長（nm）
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閾值電流（A）
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工作電流（A）
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工作電壓（V）
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快軸發射角 (95%)（°）
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慢軸發射角 (95%)（°）
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斜率效率
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電光轉換效率（%）
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中心波長 (2A波長)
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半波全寬（nm）
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偏振態（%）
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發光面寬度（μm）
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焊接溫度（℃）
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工作溫度（℃）
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存儲溫度（℃）
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溫漂系數（nm/°C）
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尺寸 (L×W×H)（mm）
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重量（g）
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808
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輸出功率（W）8~10
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中心波長（nm）808
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閾值電流（A）1~1.8
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工作電流（A）8.5~11
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工作電壓（V）1.75
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快軸發射角 (95%)（°）58
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慢軸發射角 (95%)（°）11
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斜率效率1.1
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電光轉換效率（%）52~54
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中心波長 (2A波長)800~804
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半波全寬（nm）6
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偏振態（%）80
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發光面寬度（μm）200~400
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焊接溫度（℃）≤260
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工作溫度（℃）15~40
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存儲溫度（℃）0~70
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溫漂系數（nm/°C）0.3
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尺寸 (L×W×H)（mm）4.8×4.05×0.456 / 4.5×5.7×0.5
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重量（g）<1
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880
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輸出功率（W）10~15
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中心波長（nm）878
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閾值電流（A）1.5
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工作電流（A）11~15
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工作電壓（V）1.75
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快軸發射角 (95%)（°）58
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慢軸發射角 (95%)（°）11
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斜率效率1.1
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電光轉換效率（%）52~57
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中心波長 (2A波長)874~877
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半波全寬（nm）6
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偏振態（%）80
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發光面寬度（μm）200~400
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焊接溫度（℃）≤260
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工作溫度（℃）15~40
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存儲溫度（℃）0~70
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溫漂系數（nm/°C）0.3
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尺寸 (L×W×H)（mm）4.8×4.05×0.456 / 4.5×5.7×0.5
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重量（g）<1
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915
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輸出功率（W）12~35
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中心波長（nm）915
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閾值電流（A）0.6~1.8
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工作電流（A）12~35
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工作電壓（V）1.75
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快軸發射角 (95%)（°）58
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慢軸發射角 (95%)（°）11
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斜率效率1.03
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電光轉換效率（%）55~57
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中心波長 (2A波長)903~915
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半波全寬（nm）6
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偏振態（%）95
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發光面寬度（μm）96~230
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焊接溫度（℃）≤260
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工作溫度（℃）15~40
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存儲溫度（℃）0~70
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溫漂系數（nm/°C）0.3
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尺寸 (L×W×H)（mm）4.8×4.05×0.456 / 4.5×5.7×0.5
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重量（g）<1
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976
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輸出功率（W）12~35
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中心波長（nm）976
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閾值電流（A）0.6~1.8
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工作電流（A）12~35
-
工作電壓（V）1.75
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快軸發射角 (95%)（°）58
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慢軸發射角 (95%)（°）11
-
斜率效率1.03
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電光轉換效率（%）55~57
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中心波長 (2A波長)960~970
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半波全寬（nm）6
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偏振態（%）95
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發光面寬度（μm）100~230
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焊接溫度（℃）≤260
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工作溫度（℃）15~40
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存儲溫度（℃）0~70
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溫漂系數（nm/°C）0.3
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尺寸 (L×W×H)（mm）4.8×4.05×0.456 / 4.5×5.7×0.5
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重量（g）<1
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