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        • 880nm系列半導體激光器.png
        • 半導體激光器泵源2.png
        • 半導體激光器泵源2.png
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        • 半導體激光器泵源2.png
        • 半導體激光器泵源2.png

        880nm系列半導體激光器

        880nm系列半導體激光器是一款工作在近紅外波段的高效能激光設備,具有優秀的穩定性、高轉換效率和廣泛的應用領域。它廣泛應用于醫療、工業加工、科研以及通信等多個領域。

        • 8W~120W
          功率可選范圍
        • 878.6nm
          中心波長
        • 0.5nm
          半波全寬
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        • 產品優勢

        • 產品應用

        • 產品參數

        • 相關產品

        產品優勢

        • 高轉換效率

          采用先進的半導體制造工藝,實現良好的電-光轉換效率,降低功耗同時提供高輸出功率

        • 優異的波長特性

          880nm波長具有較好的組織穿透能力,適用于各種醫療和美容應用

        • 強大輸出功率

          輸出功率從幾瓦到幾十瓦,可根據不同應用需求進行選擇

        產品應用

        • underlay image Lark-3ASE(內部移除).png
          固體激光器泵源
        • underlay image 固體激光器泵源2.png
          固體激光器泵源
        • underlay image 固體激光器泵源.png
          固體激光器泵源

        產品參數

        系列型號
        • 880-8W
          880nm1.png
        • 880-30W
          880nm2.png
        • 880-65W
          880nm3.png
        • 880-120W
          880nm1.png
        • 輸出功率(W)
        • 中心波長(nm)
        • 半波全寬(nm)
        • 95%出光NA(NA)
        • 防返波段(nm)
        • 電光轉換效率(%)
        • 閾值電流(A)
        • 工作電流(A)
        • 工作電壓(V)
        • 纖芯直徑(μm)
        • 包層直徑(μm)
        • 工作溫度(°C)
        • 存儲溫度(°C)
        • 溫漂系數(nm/°C)
        • 尺寸 (L×W×H)(mm)
        • 重量(g)
        • 880-8W

          880nm1.png
          • 輸出功率(W)
            8
          • 中心波長(nm)
            878.6
          • 半波全寬(nm)
            0.5
          • 95%出光NA(NA)
            0.2
          • 防返波段(nm)
            1040~1200
          • 電光轉換效率(%)
            50
          • 閾值電流(A)
            1.8
          • 工作電流(A)
            12
          • 工作電壓(V)
            1.8
          • 纖芯直徑(μm)
            400
          • 包層直徑(μm)
            440
          • 工作溫度(°C)
            15~40
          • 存儲溫度(°C)
            -20~85
          • 溫漂系數(nm/°C)
            0.03
          • 尺寸 (L×W×H)(mm)
            62.5×29×10.02
          • 重量(g)
            ≈40
        • 880-30W

          880nm2.png
          • 輸出功率(W)
            30
          • 中心波長(nm)
            878.6
          • 半波全寬(nm)
            0.5
          • 95%出光NA(NA)
            0.2
          • 防返波段(nm)
            1040~1200
          • 電光轉換效率(%)
            50
          • 閾值電流(A)
            1.8
          • 工作電流(A)
            12
          • 工作電壓(V)
            6.8
          • 纖芯直徑(μm)
            400
          • 包層直徑(μm)
            440
          • 工作溫度(°C)
            15~40
          • 存儲溫度(°C)
            -20~85
          • 溫漂系數(nm/°C)
            0.03
          • 尺寸 (L×W×H)(mm)
            77×38.5×10.95
          • 重量(g)
            ≈92
        • 880-65W

          880nm3.png
          • 輸出功率(W)
            65
          • 中心波長(nm)
            878.6
          • 半波全寬(nm)
            0.5
          • 95%出光NA(NA)
            0.2
          • 防返波段(nm)
            1040~1200
          • 電光轉換效率(%)
            50
          • 閾值電流(A)
            1.8
          • 工作電流(A)
            12
          • 工作電壓(V)
            14.5
          • 纖芯直徑(μm)
            400
          • 包層直徑(μm)
            440
          • 工作溫度(°C)
            15~40
          • 存儲溫度(°C)
            -20~85
          • 溫漂系數(nm/°C)
            0.03
          • 尺寸 (L×W×H)(mm)
            119.5×48×17
          • 重量(g)
            ≈310
        • 880-120W

          880nm1.png
          • 輸出功率(W)
            120
          • 中心波長(nm)
            878.6
          • 半波全寬(nm)
            0.5
          • 95%出光NA(NA)
            0.2
          • 防返波段(nm)
            1040~1200
          • 電光轉換效率(%)
            50
          • 閾值電流(A)
            1.8
          • 工作電流(A)
            12
          • 工作電壓(V)
            21.5
          • 纖芯直徑(μm)
            400
          • 包層直徑(μm)
            440
          • 工作溫度(°C)
            15~40
          • 存儲溫度(°C)
            -20~85
          • 溫漂系數(nm/°C)
            0.03
          • 尺寸 (L×W×H)(mm)
            163.5×48.5×20.65
          • 重量(g)
            ≈638
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